• 产品名称:韩企开辟芯片第二战场缺少EUV光刻机的国产厂商
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  • 发布时间: 2021-10-24
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  近两年,电子产品的快速普及,存储芯片的重要性更加凸显,同时,储存芯片的制程要求和需求量也在不断提升。

  目前,全球主要的储存芯片供应商集中在美日韩,其中三星、SK海力士以及美光占据了全球80%以上的存储芯片市场。

  随着智能产品对存储芯片的性能要求越来越高,各大存储芯片巨头都在寻求技术突破。10月12日,韩国三星电子将开始使用阿斯麦的EUV光刻机来生产存储芯片领域最小的14纳米DRAM芯片,这意味着,三星开辟出储存芯片的第二战场,

  对于三星而言,在存储芯片领域引入EUV光刻技术将会有更大的成本投入。不过,需要明白的是,未来存储芯片市场拥有巨大的潜力,而三星引入先进极紫外光刻技术无非就是想要生产更为先进的产品,来吸引客户,所以,在庞大的市场规模面前,使用EUV光刻机的成本却显得微不足道。

  虽然我国在存储芯片市场并未太大的话语权,但国内相关企业也在不断加快相关技术突破。近期,有业内人士透露,由长江存储生产的64层闪存芯片已经实现3亿颗的出货量,同时,长江存储自主研发的128层QLC芯片也正式进入量产阶段,并且,芯片的良品率已经达到了国际水平。

  不过,随着三星将EUV光刻技术引入存储芯片领域,对于国内的存储芯片厂商而言,将迎来巨大的挑战。

  从上述来看,长江存储勉强能跟上三星的步伐,现如今,三星使用极紫外光刻技术生产存储芯片,将进一步拉开距离。

  要知道,EUV光刻机只有荷兰的阿斯麦能够供应,由于相关条件的限制,我国很难从阿斯麦手中购买到EUV光刻机,这无疑加大了国产存储芯片厂商追赶三星的难度。

  值得一提的是,不只是三星,国际存储芯片巨头SK海力士、美光未来都将在存储芯片方面引入EUV技术。

  缺少EUV光刻机的国产厂商,在DRAM技术迭代方面也将迎来挑战,目前,国内存储芯片厂商均处在DDR4级别,而DDR5则是下一代DRAM标准,相较之下,DDR5的储存芯片拥有速度快、密度高以及功耗低的特点。

  按照三星电子的说法,利用最新的DDR5标准,三星最新研发的14纳米DRAM将达到7.2Gbps的数据读取速度,这个数据已经是DDR4的两倍之多。

  此外,SK海力士将计划今年量产DDR5,而美光的DDR5也已经开始出样。显然,没有EUV光刻机的支持,国产存储芯片的实力很难实现对三星、美光等巨头的超越。

  毫无疑问,随着存储芯片技术的迭代完成,行业内龙头企业的激战将全面升级,对于技术相对比较落后的国产存储芯片只能避其锋芒。

  不过,国产存储芯片也不是没有突破口,就是增强对本土厂商的供应,以长江存储为例,其研发的64层闪存已经成功打入华为Mate40系列供应链。

  随着长江存储在存储芯片技术方面持续突破,未来,其推出的产品或许会得到更多中国企业认可。

  展望未来,中国企业在存储芯片领域的发展有目共睹,已经实现从0到5%的突破,因为,在《日经亚洲评论》报道中,中国存储器的产量在全球的占比已经提升到了5%。以这样的速度发展下去,中国的存储芯片一定会在全球市场大放异彩,实现存储芯片的全面自主。

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